冷熱沖擊設(shè)備在芯片失效分析領(lǐng)域中的應(yīng)用
更新時(shí)間：2023-11-14 點(diǎn)擊量：843
去除表面鈍化層、金屬化層和層間介質(zhì)后有時(shí)依然無(wú)法觀察到失效點(diǎn)，這時(shí)候就需要對(duì)芯片進(jìn)行進(jìn)一步處理，對(duì)于多層布線的芯片干法腐蝕或者濕法腐蝕來(lái)逐一去除，直至最后一層金屬化和介質(zhì)層。去玩所有的金屬化層和介質(zhì)層后，有時(shí)候還需要去除多晶硅層、氧化層等直至露出硅本體。
由于層間介質(zhì)的材料與鈍化層材料種類基本相同，因此層間介質(zhì)的去除也是類似的，也是主要分為干法腐蝕和濕法腐蝕兩種。以高低溫沖擊設(shè)備為例，其能夠提供特性分析、高低溫溫變測(cè)試、溫度沖擊測(cè)試、失效分析等可靠性試驗(yàn)。
1、高低溫沖擊機(jī)輸出氣流罩將被測(cè)試品罩住，形成一個(gè)較密閉空間的測(cè)試腔，試驗(yàn)機(jī)輸出的高溫或低溫氣流，使被測(cè)試品表面溫度發(fā)生劇烈變化，從而完成相應(yīng)的高低溫沖擊試驗(yàn)；
2、可針對(duì)眾多元器件中的某一單個(gè)IC或其它元件，將其隔離出來(lái)單獨(dú)進(jìn)行高低溫沖擊，而不影響周邊其它器件，與傳統(tǒng)冷熱沖擊試驗(yàn)箱相比，溫變變化沖擊速率更快。
